[发明专利]氮化镓MIS栅控混合沟道功率场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 202010169775.7 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111370470B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 周琦;杨秀;黄芃;魏鹏程;陈匡黎;李翔宇;王景海;韩晓琦;陈万军;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明设计涉及半导体器件技术领域，具体为一种氮化镓MIS栅控混合沟道功率场效应晶体管以及其制造方法。本发明采用了利用平面二位电子平面道以及准垂直U形氮化镓体材料沟道结合成的混合沟道技术，分别利用二维电子气的快速开关特性以及氮化镓体材料的大电流特性提升器件的导通特性；同时在异质外延氮化镓衬底上，通过引入P型氮化镓调制区实现对器件关断状态下的耗尽耐压与电场调制，提升器件击穿电压。本发明充分利用了氮化镓材料的体材料特性与由III‑V族半导体材料极化效应所产生二维电子气的优越性提升了氮化镓器件的导通性能，为实现大电流、耐高压以及快速开关特性的氮化镓功率场效应管器件提供了出色的解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 mis 混合 沟道 功率 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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