[发明专利]电容阵列结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202010169180.1 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113394162B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 盛超军;胡文佳 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种电容阵列结构及其形成方法。所述电容阵列结构的形成方法包括如下步骤：提供一基底，所述基底表面暴露有电容触点，所述基底包括阵列区域和外围区域；形成覆盖所述基底和所述电容触点的底部支撑层，所述底部支撑层中具有缝隙；形成填充所述缝隙、并覆盖所述电容触点和所述底部支撑层表面的填充层，且位于所述外围区域的所述填充层厚度大于位于所述阵列区域的所述填充层厚度；形成沿垂直于所述基底的方向交替堆叠的支撑层和牺牲层；形成电容孔；依次形成下电极层于所述电容孔的内壁、电介质层于所述下电极层的表面、以及上电极层于所述电介质层的表面，形成电容器。本发明缓解了电容阵列结构的延迟效应。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 阵列 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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