[发明专利]电容阵列结构及其形成方法

权利要求书

1.一种电容阵列结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一基底，所述基底表面暴露有电容触点，所述基底包括阵列区域和外围区域，所述电容触点位于所述阵列区域；

形成覆盖所述基底和所述电容触点的侧壁的底部支撑层，所述底部支撑层中具有缝隙；

形成填充所述缝隙、并覆盖所述电容触点和所述底部支撑层表面的填充层，且位于所述外围区域的所述填充层厚度大于位于所述阵列区域的所述填充层厚度；

形成沿垂直于所述基底的方向交替堆叠的支撑层和牺牲层；

形成至少贯穿所述支撑层和所述牺牲层、并暴露所述电容触点的电容孔；依次形成下电极层于所述电容孔的内壁、电介质层于所述下电极层的表面、以及上电极层于所述电介质层的表面，形成电容器。

2.根据权利要求1所述的电容阵列结构的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述基底和所述电容触点的侧壁的底部支撑层的具体步骤包括：形成覆盖所述基底、所述电容触点的侧壁、以及所述电容触点的顶面的底部支撑层，所述电容触点的顶面为所述电容触点背离所述基底的表面；

形成填充所述缝隙、并覆盖所述电容触点和所述底部支撑层表面的填充层的具体步骤包括：

回刻蚀所述底部支撑层，暴露所述电容触点的顶面；

形成填充所述缝隙、并覆盖所述电容触点的顶面和所述底部支撑层表面的所述填充层。

3.根据权利要求2所述的电容阵列结构的形成方法，其特征在于，形成填充所述缝隙、并覆盖所述电容触点和所述底部支撑层表面的所述填充层的具体步骤包括：

形成填充满所述缝隙的第一子层；

形成覆盖所述电容触点、所述底部支撑层和所述第一子层表面的第二子层，以形成包括所述第一子层和所述第二子层的所述填充层。

4.根据权利要求1所述的电容阵列结构的形成方法，其特征在于，位于所述外围区域的所述填充层的厚度比位于所述阵列区域的所述填充层的厚度大10nm～40nm。

5.根据权利要求1所述的电容阵列结构的形成方法，其特征在于，形成至少贯穿所述支撑层和所述牺牲层、并暴露所述电容触点的电容孔的具体步骤包括：

于所述阵列区域形成贯穿所述支撑层、所述牺牲层和所述填充层、并暴露所述电容触点的电容孔。

6.根据权利要求1所述的电容阵列结构的形成方法，其特征在于，形成电容器的具体步骤包括：

形成下电极层于所述电容孔的内壁；

去除部分所述支撑层和全部的所述牺牲层，暴露所述填充层；

形成覆盖所述下电极层表面和所述填充层表面的电介质层、以及覆盖于所述电介质层表面的上电极层。

7.根据权利要求1所述的电容阵列结构的形成方法，其特征在于，所述填充层的材料为氮化硅、多晶硅、氮氧化硅、碳氮化硅中的一种或其任意组合。

8.一种电容阵列结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底表面暴露有电容触点，所述基底包括阵列区域和外围区域，所述电容触点位于所述阵列区域；

底部支撑层，覆盖所述基底表面和所述电容触点的侧壁，所述底部支撑层中具有缝隙；

填充层，填充所述缝隙、并覆盖所述电容触点和所述底部支撑层表面，且位于所述外围区域的所述填充层厚度大于位于所述阵列区域的所述填充层厚度；

电容器，包括位于所述基底上方且与所述电容触点电连接的下电极层、覆盖于所述下电极层表面的电介质层、以及覆盖于所述电介质层表面的上电极层；

若干支撑层，连接于所述下电极层的侧壁。

9.根据权利要求8所述的电容阵列结构，其特征在于，位于所述外围区域的所述填充层的厚度比位于所述阵列区域的所述填充层的厚度大10nm～40nm。

10.根据权利要求8所述的电容阵列结构，其特征在于，所述电介质层还覆盖于所述填充层表面和所述支撑层表面；所述电容阵列结构还包括：

导电层，覆盖于所述上电极层表面。