[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010165603.2 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN113394286A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 萧逸璿 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括：衬底，具有第一导电型；阱区，具有第二导电型，设置于所述衬底中；源极区与漏极区，具有所述第二导电型，分别位于所述衬底与所述阱区中，其中所述源极区与所述漏极区之间包括多个直线区域以及多个转弯区域；栅极结构，设置于所述源极区与所述漏极区之间的所述衬底上；多个第一顶掺杂区，具有所述第一导电型，设置于每一所述多个直线区域中；以及多个第二顶掺杂区，具有所述第一导电型，设置于每一所述多个转弯区域中且与所述每一转弯区域共形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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