[发明专利]半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202010147553.5 申请日: 2020-03-05
公开(公告)号: CN112447750A 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 松本壮太;西村貴仁 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L27/11556 分类号: H01L27/11556;H01L27/11582;H01L27/11568;H01L27/11521
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 张世俊
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 实施方式涉及一种半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。实施方式的半导体存储装置具备积层体,该积层体是多个导电层介隔绝缘层而积层,且具有配置着多个存储单元的存储器部、及多个导电层的端部成为阶梯状的阶梯部,阶梯部具有向与朝着存储器部的方向相反方向升阶的3个以上第1子阶梯部,3个以上第1子阶梯部中的至少1个第1子阶梯部利用比第1子阶梯部各阶的阶差大的阶差,至少分割为上层阶梯与下层阶梯。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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