[发明专利]光半导体元件在审
申请号: | 202010145989.0 | 申请日: | 2020-03-05 |
公开(公告)号: | CN112447888A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 岩本昌伸;菅原秀人;矶本建次 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10;H01L33/06;H01L33/30 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 牛玉婷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
实施方式提供一种降低晶片面内的光输出的变动的光半导体元件。实施方式的光半导体元件具有基板、发光层、和分布布拉格反射器。发光层具有AlGaAs多量子阱层。分布布拉格反射器设置在基板与发光层之间,周期性地层叠了第1层与第2层的对。第1层包含Al |
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搜索关键词: | 半导体 元件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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