[发明专利]碳化硅欧姆接触结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010145207.3 | 申请日： | 2020-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN111312811A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 杨程;林科闯;陶永洪 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/04;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 郭俊霞 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅欧姆接触结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。碳化硅欧姆接触结构包括p型碳化硅区和在所述p型碳化硅区上方形成的p型欧姆合金层；其中，所述p型欧姆合金层为镍钛铝合金；钛与镍的原子比不低于0.178且不高于0.310；钛与铝的原子比不低于0.171且不高于0.470。碳化硅欧姆接触结构在高温退火后，并不会降低n型与p型中一者的接触性能。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 欧姆 接触 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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