[发明专利]碳化硅欧姆接触结构及其制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅欧姆接触结构，其特征在于，包括：

p型碳化硅区(12)；

在所述p型碳化硅区(12)上方形成的p型欧姆合金层(16)；

其中，所述p型欧姆合金层(16)为镍钛铝合金；

钛与镍的原子比不低于0.178且不高于0.310；钛与铝的原子比不低于0.171且不高于0.470。

2.一种碳化硅欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供一p型碳化硅区(12)；

在所述p型碳化硅区(12)上方形成p型欧姆合金层(16)；

其中，所述p型欧姆合金层(16)为镍钛铝合金；

钛与镍的原子比不低于0.178且不高于0.310；钛与铝的原子比不低于0.171且不高于0.470。

3.根据权利要求2所述的碳化硅欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，所述在所述p型碳化硅区(12)上方形成的p型欧姆合金层(16)的步骤，包括：

在所述p型碳化硅区(12)上方沉积镍层(18)；

在所述镍层(18)上方沉积所述钛层(19)和所述铝层(20)；

进行退火处理，形成所述p型欧姆合金层(16)。

4.根据权利要求3所述的碳化硅欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，所述退火处理的工艺温度范围为：900℃－1050℃，持续时间的范围为：1分钟－5分钟。

5.一种碳化硅欧姆接触结构，其特征在于，包括：

设置的p型碳化硅区(12)和n型碳化硅区(13)；

在所述p型碳化硅区(12)和所述n型碳化硅区(13)上方分别设有p型欧姆合金层(16)和n型欧姆合金层(17)；

其中，所述p型欧姆合金层(16)为镍钛铝合金，钛与镍的原子比不低于0.178且不高于0.310；钛与铝的原子比不低于0.171且不高于0.470；所述n型欧姆合金层(17)为镍合金。

6.一种碳化硅欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，包括：

对碳化硅进行掺杂，形成设置的p型碳化硅区(12)和n型碳化硅区区域(13)；

在所述p型碳化硅区(12)和所述n型碳化硅区(13)上方分别形成p型欧姆合金层(16)和n型欧姆合金层(17)；

其中，所述p型欧姆合金层(16)为镍钛铝合金，钛与镍的原子比不低于0.178且不高于0.310；钛与铝的原子比不低于0.171且不高于0.470；所述n型欧姆合金层(17)为镍合金。

7.根据权利要求6所述的碳化硅欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，所述在所述p型碳化硅区(12)和所述n型碳化硅区(13)上方分别形成p型欧姆合金(16)和n型欧姆合金(17)的步骤，包括：

在所述p型碳化硅区(12)和所述n型碳化硅区(13)上方沉积镍层(18)；

在所述p型碳化硅区(12)上的所述镍层(18)上方依次沉积所述钛层(19)和所述铝层(20)；

进行退火处理，形成所述p型欧姆合金(16)和所述n型欧姆合金(17)。

8.根据权利要求7所述的碳化硅欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，所述镍层(18)的厚度范围为50nm－200nm。

9.根据权利要求8所述的碳化硅欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，所述镍层(18)的厚度范围为60nm－80nm。

10.根据权利要求6所述的碳化硅欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，所述p型碳化硅区(12)的掺杂浓度值的范围为：10¹⁸/cm³－10²⁰/cm³，所述n型碳化硅区(13)的掺杂浓度值的范围为：10¹⁷/cm³－10²⁰/cm³。