[发明专利]薄膜晶体管结构及其制作方法

摘要

一种薄膜晶体管结构，包括：主动区、周边区、第一图案化导电层、第二图案化导电层、介电层以及转接桥。主动区包括多个金属氧化物半导体薄膜晶体管。周边区邻接于该主动区。第一图案化导电层至少部分位于周边区。第二图案化导电层由主动区延伸至周边区。介电层位于第一图案化导电层与第二图案化导电层之间，并将第一图案化导电层和第二图案化导电层电性隔离。转接桥位于周边区，包括接触垫和连接线。接触垫邻接且与第二图案化导电层电性隔离，并穿过介电层，而与第一图案化导电层接触。连接线分别与第二图案化导电层和接触垫电性接触。