[发明专利]一种半导体元件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010131752.7 | 申请日： | 2020-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN111384081B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 刘宇;康赐俊;邱泰玮;王丹云 | 申请（专利权）人： | 厦门半导体工业技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H10N70/20 |
| 代理公司： | 北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙) 11734 | 代理人： | 张洋 |
| 地址： | 361008 福建省厦门市软件*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件及其制备方法，所述半导体元件由以下部分组成，包括：下金属互联层，嵌入第一介电层内；RRAM结构单元，设置在所述下金属互联层上，所述RRAM结构单元包括由下而上依次沉积的底部电极、电介质层和顶部电极；所述底部电极与所述下金属互联层电连接；上金属互联层，设置在所述顶部电极上且与所述顶部电极连接。本发明实施例提供的半导体元件，由于将RRAM结构单元直接设置在上金属互联层和下金属互联层之间，且下金属互联层与底部电极连接，因此能够有效降低半导体元件存储区的高度，从而降低了半导体元件内部填充材料出现缝隙的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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