[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010127542.0 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111834442A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 星保幸 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L23/544;H01L27/02;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张欣;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供一种作为在与主半导体元件同一半导体基板具备电流感测部的半导体装置而能提高寄生二极管的反向恢复耐量的半导体装置。OC焊盘(22)的正下方的一部分区域是配置有电流感测部(12)的单位单元的感测有效区(12a)。在OC焊盘(22)的正下方，包围感测有效区(12a)的周围的区域是未配置电流感测部(12)的单位单元的感测无效区(12b)。在感测无效区(12b)中，设置于半导体基板的正面的表面区域的浮置的p型基区(34b’)通过包围感测有效区(12a)的周围的n |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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