[发明专利]半导体功率器件在审
| 申请号： | 202010106676.4 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN113299750A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 龚轶;刘磊;刘伟;毛振东 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/423;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括：n型外延层，以及位于所述n型外延层内的：自下而上的第一n型漂移区、第二n型漂移区和第三n型漂移区，所述第一n型漂移区的掺杂浓度和所述第三n型漂移区的掺杂浓度均大于所述第二n型漂移区的掺杂浓度；至少一个栅沟槽以及位于所述栅沟槽内的栅极结构，所述栅沟槽的底部不高于所述第二n型漂移区的上表面；位于所述栅沟槽的两侧且位于所述第三n型漂移区之上的p型体区，以及位于所述p型体区中的n型源区。本发明可以提高半导体功率器件的击穿电压并降低半导体功率器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
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