[发明专利]一种控制接触孔刻蚀开口形貌的方法有效
| 申请号： | 202010104331.5 | 申请日： | 2020-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN111276417B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 昂开渠;阚琎 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种控制接触孔刻蚀开口形貌的方法，提供用于刻蚀形成接触孔的半导体结构；在半导体结构上形成作为接触孔刻蚀的硬掩模层；利用等离子体刻蚀法刻蚀硬掩模层及半导体结构形成多个接触孔开口，并利用光谱信号侦测器收集刻蚀反应的辉光信号；根据辉光信号的强度与硬掩模层剩余量的关系来控制硬掩模层的最终形貌；利用最终形貌的硬掩模层作为阻挡层，并进一步刻蚀去除剩余硬掩模层的同时调整所述接触孔开口的形貌。本发明在接触孔刻蚀工艺过程中利用信号终点检测手段监控硬掩模层的刻蚀进程,利用该硬掩模层掩模形貌调整接触孔开口形貌，从而达成控制接触孔刻蚀开口形貌的目的，同时可以确保开口以下部分的孔洞形貌工艺性能维持稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 接触 刻蚀 开口 形貌 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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