[发明专利]一种控制接触孔刻蚀开口形貌的方法

权利要求书

1.一种控制接触孔刻蚀开口形貌的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供用于刻蚀形成接触孔的半导体结构；所述半导体结构包括：衬底、位于该衬底上多个相互间隔的多晶硅结构；所述多晶硅结构顶部设有金属化硅接触层；覆盖于所述衬底上表面、所述多晶硅结构侧壁以及所述金属化硅接触层顶部的氮氧化硅盖帽层；覆盖于所述氮氧化硅盖帽层上的介质膜氧化层；

步骤二、在所述半导体结构上形成作为所述接触孔刻蚀的硬掩模层；

步骤三、利用等离子体刻蚀法刻蚀所述硬掩模层以及所述半导体结构形成多个接触孔开口，在刻蚀同时，利用光谱信号侦测器收集刻蚀反应的辉光信号；刻蚀所述半导体结构包括刻蚀所述介质膜氧化层；

步骤四、根据所述辉光信号的强度与所述硬掩模层剩余量的关系来控制所述硬掩模层的最终形貌；所述辉光信号的强度与所述硬掩模层剩余量的关系为：所述辉光信号的强度越弱，剩余所述硬掩模层的量越少；所述辉光信号的强度下降至97％时，达到控制所述硬掩模层的最终形貌；

步骤五、利用所述最终形貌的硬掩模层作为阻挡层，并进一步刻蚀去除剩余所述硬掩模层的同时调整所述接触孔开口的形貌；并且以氧气作为工艺气体对所述最终形貌的硬掩模层进行等离子体刻蚀；调整所述接触孔开口的形貌的过程中所述接触孔内壁的介质膜氧化层不被刻蚀；利用氧气刻蚀的同时，增加刻蚀的偏置电压来去除剩余所述硬掩模层。

2.根据权利要求1所述的控制接触孔刻蚀开口形貌的方法，其特征在于：步骤二中还包括在所述硬掩模层上形成抗反射层。

3.根据权利要求2所述的控制接触孔刻蚀开口形貌的方法，其特征在于：步骤三中刻蚀所述硬掩模层前，所述抗反射层被刻蚀。

4.根据权利要求2所述的控制接触孔刻蚀开口形貌的方法，其特征在于：所述抗反射层为SiON。

5.根据权利要求1所述的控制接触孔刻蚀开口形貌的方法，其特征在于：所述金属化硅接触层为NiSi。