[发明专利]一种SiC MOSFET有源驱动电路在审
| 申请号： | 202010097316.2 | 申请日： | 2020-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN111327302A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李先允;卢乙;倪喜军;王书征;何鸿天 | 申请（专利权）人： | 南京工程学院 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 211167 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC MOSFET有源驱动电路，包括：驱动电路，电压采样电路，脉冲产生电路和电压注入电路；所述电压采样电路，用于采集SiC MOSFET开关过程中栅源极两端电压信号，并传输给脉冲产生电路；所述脉冲产生电路，用于在SiC MOSFET开关过程的特定时间段内产生脉冲信号，并传输给电压注入电路；所述电压注入电路，用于根据所述脉冲信号向驱动电路注入电压。优点：本发明的电路简单，能够抑制电流、电压过冲和振荡现象，且没有增加驱动电阻阻值，不会延长SiC MOSFET的开关时间和增加开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 有源 驱动 电路 | ||
【主权项】：
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