[发明专利]一种SiC MOSFET有源驱动电路

权利要求书

1. 一种SiC MOSFET有源驱动电路，其特征在于，包括：驱动电路，电压采样电路，脉冲产生电路和电压注入电路；

所述电压采样电路，用于采集SiC MOSFET开关过程中栅源极两端电压信号，并传输给脉冲产生电路；

所述脉冲产生电路，用于根据接收到的电压信号产生脉冲信号，并传输给电压注入电路；

所述电压注入电路，用于根据所述脉冲信号向驱动电路注入电压；

所述驱动电路，用于产生SiC MOSFET开关所需的驱动电压。

2. 根据权利要求1所述的SiC MOSFET有源驱动电路，其特征在于，

所述电压采样电路包括开通电压采样电路和关断电压采样电路；其中，所述开通电压采样电路，用于采集SiC MOSFET开通过程中栅源极两端电压信号；所述关断电压采样电路，用于采集SiC MOSFET关断过程中栅源极两端电压信号；

所述脉冲产生电路包括开通脉冲产生电路和关断脉冲产生电路；其中，所述开通脉冲产生电路，用于接收开通电压采样电路采集的电压信号，并输出开通脉冲信号；所述关断脉冲产生电路，用于接收关断电压采样电路采集的电压信号，并输出关断脉冲信号；

所述电压注入电路包括开通电压注入电路和关断电压注入电路；其中，所述开通电压注入电路，用于接收开通脉冲产生电路输出的开通脉冲信号，并输出注入电压；所述关断电压注入电路，用于接收关断脉冲产生电路输出的关断脉冲信号，并输出注入电压。

3. 根据权利要求2所述的SiC MOSFET有源驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括第一开关管Q1，第二开关管Q2，第一电阻R1，第二电阻R2，第三电阻R3，第四电阻R4，第一二极管D1，第二二极管D2，第一节点、第二节点、第三节点、第四节点，其中，所述第一开关管Q1集电极与Vcc供电电压相连，所述第一开关管Q1基极与所述第二开关管Q2基极相连，所述第一开关管Q1发射极与所述第一节点相连，所述第二开关管Q2发射极与所述第一节点相连，所述第二开关管Q2集电极与Vee供电电压相连，所述第一电阻R1一端与所述第一节点相连，所述第一电阻R1另一端与所述第二节点相连，所述第二电阻R2一端与所述第一节点相连，所述第二电阻R2另一端与所述第一二极管D1阳极相连，所述第一二极管D1阴极与所述第四节点相连，所述第三电阻R3一端与所述第一节点相连，所述第三电阻R3另一端与所述第三节点相连，所述第四电阻R4一端与所述第三节点相连，所述第四电阻R4另一端与所述第二二极管D2阴极相连，所述第二二极管D2阳极与所述第四节点相连，所述第四节点与SiCMOSFET栅极相连，其中Vcc是 SiC MOSFET开通电压，Vee是SiC MOSFET关断电压。

4. 根据权利要求3所述的SiC MOSFET有源驱动电路，其特征在于，所述开通电压采样电路包括第五电阻R5，第六电阻R6、第一电容C1和第五节点，其中，所述第五电阻R5一端与所述第四节点相连，所述第五电阻R5另一端与所述第五节点相连，所述第六电阻R6一端与所述第五节点相连，所述第六电阻R6另一端接地，所述第一电容C1一端与所述第五节点相连，所述第一电容C1另一端接地。

5. 根据权利要求3所述的SiC MOSFET有源驱动电路，其特征在于，所述关断电压采样电路包括第七电阻R7，第八电阻R8、第二电容C2和第六节点，其中，所述第七电阻R7一端与所述第四节点相连，所述第七电阻R7另一端与所述第六节点相连，所述第八电阻R8一端与所述第六节点相连，所述第八电阻R8另一端接地，所述第二电容C2一端与所述第六节点相连，所述第二电容C2另一端接地。