[发明专利]集成芯片及用于形成高压晶体管器件的方法在审
| 申请号： | 202010070584.5 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN112786689A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 何嘉政;雷明达;钟于彰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L27/088;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成芯片及用于形成高压晶体管器件的方法。在所述集成芯片中，栅极电极在源极区与漏极区之间上覆于衬底。漂移区横向布置在栅极电极与漏极区之间。多个层间介电(ILD)层上覆于衬底。多个层间介电层包含位于第二层间介电层之下的第一层间介电层。多个导电互连层设置在多个层间介电层内。场板从第一层间介电层的顶部表面延伸到通过第一层间介电层与漂移区竖直分离的点。场板在朝向漏极区的方向上与栅极电极横向偏移达非零距离。场板包含与多个导电互连层中的至少一者相同的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 用于 形成 高压 晶体管 器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010070584.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
