[发明专利]集成芯片及用于形成高压晶体管器件的方法

说明书

一种集成芯片及用于形成高压晶体管器件的方法。在所述集成芯片中，栅极电极在源极区与漏极区之间上覆于衬底。漂移区横向布置在栅极电极与漏极区之间。多个层间介电(ILD)层上覆于衬底。多个层间介电层包含位于第二层间介电层之下的第一层间介电层。多个导电互连层设置在多个层间介电层内。场板从第一层间介电层的顶部表面延伸到通过第一层间介电层与漂移区竖直分离的点。场板在朝向漏极区的方向上与栅极电极横向偏移达非零距离。场板包含与多个导电互连层中的至少一者相同的材料。

技术领域

本发明实施例涉及一种集成芯片及用于形成高压晶体管器件的方法。

背景技术

现代集成芯片包括形成于半导体衬底(例如硅)上的数百万或数十亿半导体器件。集成芯片(integrated chips；IC)可取决于IC的应用而使用许多不同类型的晶体管器件。近年来，对于蜂窝式器件和射频(radio frequency，RF)器件的市场增大已使得高压晶体管器件的使用显著增加。举例来说，高压晶体管器件由于能够操纵高击穿电压和高频率而常用于RF发射/接收链中的功率放大器中。

发明内容

本发明实施例提供一种集成芯片，其包括栅极电极、漂移区、多个层间介电层、多个导电互连层以及场板。栅极电极在源极区与漏极区之间上覆于衬底。漂移区横向布置在栅极电极与漏极区之间。多个层间介电层上覆于衬底，其中多个层间介电层包括位于第二层间介电层之下的第一层间介电层。多个导电互连层设置在多个层间介电层内。场板从第一层间介电层的顶部表面延伸到通过第一层间介电层与漂移区竖直分离的点。场板在朝向漏极区的方向上与栅极电极横向偏移达非零距离，且场板包括与多个导电互连层中的至少一者相同的材料。

本发明另一实施例提供一种集成芯片，其包括栅极电极、接触件刻蚀停止层、第一层间介电层、第二层间介电层、多个接触件、多个导线以及场板。栅极电极在源极区与漏极区之间上覆于衬底。接触件刻蚀停止层上覆于衬底且在栅极电极上方连续延伸并从源极区连续延伸到漏极区。第一层间介电层上覆于衬底。第二层间介电层上覆于第一层间介电层。多个接触件设置在第一层间介电层内且上覆于源极区、漏极区以及栅极电极。多个导线设置在第二层间介电层内且上覆于接触件。场板设置在栅极电极与漏极区之间的第一层间介电层内。场板的顶部表面与接触件的顶部表面对准。场板的底部表面层通过第一层间介电层与接触件刻蚀停止层的上部表面竖直偏移。

本发明实施例提供一种用于形成高压晶体管器件的方法，其包括：在衬底内形成源极区以及漏极区，其中源极区通过漂移区与漏极区分离，栅极结构上覆于衬底且在横向上位于源极区与漏极区之间；在衬底上方形成第一层间介电层；在第一层间介电层中形成多个接触件，其中接触件上覆于源极区、漏极区以及栅极结构；执行第一刻蚀工艺，以在栅极结构与漏极区之间的第一层间介电层中界定至少一个场板开口，其中至少一个场板开口由第一层间介电层的侧壁以及上部表面界定；以及在至少一个场板开口中形成场板。

附图说明

结合附图阅读以下详细描述会最好地理解本公开的各方面。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为论述清楚起见，可以任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1示出具有场板(filed plate)的高压晶体管器件的一些实施例的横截面视图。

图2到图5示出图1的高压晶体管器件的各种替代实施例的俯视图。

图6到图9示出具有场板的金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxidesemiconductor field-effect transistor，MOSFET)器件的各种替代实施例的横截面视图。

图10到图15示出形成具有场板的高压晶体管器件的第一方法的一些实施例的横截面视图。

图16以流程图格式示出一种方法，其示出形成具有场板的高压晶体管器件的第一方法的一些实施例。

图17到图24示出形成具有场板的高压晶体管器件的第二方法的一些实施例的横截面视图。