[发明专利]集成芯片及用于形成高压晶体管器件的方法

权利要求书

1.一种集成芯片，包括：

栅极电极，在源极区与漏极区之间上覆于衬底；

漂移区，横向布置在所述栅极电极与所述漏极区之间；

多个层间介电层，上覆于所述衬底，其中所述多个层间介电层包括位于第二层间介电层之下的第一层间介电层；

多个导电互连层，设置在所述多个层间介电层内；以及

场板，从所述第一层间介电层的顶部表面延伸到通过所述第一层间介电层与所述漂移区竖直分离的点，其中所述场板在朝向所述漏极区的方向上与所述栅极电极横向偏移达非零距离，且其中所述场板包括与所述多个导电互连层中的至少一者相同的材料。

2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述场板的底部表面竖直位于所述栅极电极的顶部表面上方。

3.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述场板包括多个场板通孔，所述多个场板通孔分别从所述第一层间介电层的所述顶部表面延伸到所述漂移区上方的所述点。

4.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述多个导电互连层包括：

多个接触件，设置在所述第一层间介电层内且上覆于所述源极区、所述漏极区以及所述栅极电极，其中所述多个接触件包括第一导电材料；以及

多个导线，设置在所述第二层间介电层内且上覆于所述多个接触件，其中所述多个导线包括第二导电材料。

5.一种集成芯片，包括：

栅极电极，在源极区与漏极区之间上覆于衬底；

接触件刻蚀停止层，上覆于所述衬底，且在所述栅极电极上方连续延伸并从所述源极区连续延伸到所述漏极区；

第一层间介电层，上覆于所述衬底；

第二层间介电层，上覆于所述第一层间介电层；

多个接触件，设置在所述第一层间介电层内且上覆于所述源极区、所述漏极区以及所述栅极电极；

多个导线，设置在所述第二层间介电层内且上覆于所述多个接触件；以及

场板，设置在所述栅极电极与所述漏极区之间的所述第一层间介电层内，其中所述场板的顶部表面与所述多个接触件的顶部表面对准，其中所述场板的底部表面层通过所述第一层间介电层与所述接触件刻蚀停止层的上部表面竖直偏移。

6.根据权利要求5所述的集成芯片，更包括：

漂移区，横向布置在所述栅极电极与所述漏极区之间，其中所述场板包括一或多个场板通孔，所述一或多个场板通孔分别从上覆导线延伸到所述漂移区上方的点。

7.根据权利要求5所述的集成芯片，其中所述接触件刻蚀停止层沿所述栅极电极的侧壁和顶部表面延伸，其中所述场板的所述底部表面竖直位于所述接触件刻蚀停止层的顶部表面与所述接触件刻蚀停止层的所述上部表面之间。

8.一种用于形成高压晶体管器件的方法，包括：

在衬底内形成源极区以及漏极区，其中所述源极区通过漂移区与所述漏极区分离，栅极结构上覆于所述衬底且在横向上位于所述源极区与所述漏极区之间；

在所述衬底上方形成第一层间介电层；

在所述第一层间介电层中形成多个接触件，其中所述多个接触件上覆于所述源极区、所述漏极区以及所述栅极结构；

执行第一刻蚀工艺，以在所述栅极结构与所述漏极区之间的所述第一层间介电层中界定至少一个场板开口，其中所述至少一个场板开口由所述第一层间介电层的侧壁以及上部表面界定；以及

在所述至少一个场板开口中形成场板。

9.根据权利要求8所述的用于形成高压晶体管器件的方法，更包括：

在所述第一刻蚀工艺之后执行第二刻蚀工艺，其中所述第二刻蚀工艺移除所述第一层间介电层的部分，且在所述源极区、所述漏极区以及所述栅极结构上方界定多个接触件开口；

在所述多个接触件开口以及所述至少一个场板开口中沉积导电材料；以及

对所述导电材料执行平坦化工艺直到到达所述第一层间介电层的顶部表面为止，其中所述平坦化工艺界定所述场板以及所述多个接触件，其中所述场板以及所述多个接触件包括相同材料。

10.根据权利要求8所述的用于形成高压晶体管器件的方法，更包括：

在所述第一层间介电层上方形成第二层间介电层；

在形成所述多个接触件之后执行第二刻蚀工艺，其中所述第二刻蚀工艺移除所述第二层间介电层的部分，且在所述多个接触件上方界定多个导线开口；

在所述多个导线开口以及所述至少一个场板开口中沉积导电材料；以及

对所述导电材料执行平坦化工艺直到到达所述第二层间介电层的顶部表面为止，其中所述平坦化工艺界定所述场板以及多个导线，其中所述场板以及所述多个导线包括相同材料。