[发明专利]沟槽栅极半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010070548.9 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN111490102A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·皮克 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张娜;顾丽波 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种功率半导体装置及其制造方法，该功率半导体装置包括：半导体层，其限定第一主表面并且包括漂移区；沟槽，其从第一主表面延伸至半导体层中，其中，沟槽包括由栅极电介质包围的栅电极，该栅极电介质被构造和布置为将栅电极与半导体层电隔离；以及源极区，其从第一主表面延伸，并且与沟槽的顶部侧壁部分邻接，其中，源极区延伸至与栅电极的顶表面对应的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 栅极 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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