[发明专利]IGBT芯片及其制造方法、制造IGBT芯片时使用的掩膜版在审
| 申请号： | 202010064134.5 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN113224136A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 葛孝昊;史波;曾丹;陈茂麟 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/739;H01L21/331;G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;何娇 |
| 地址： | 519000*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种IGBT芯片及其制造方法、制造IGBT芯片时使用的掩膜版。IGBT芯片包括元胞，元胞包括集电区、漂移区、阱基区、发射区、集电极结构和发射极结构。阱基区和发射区二者的组合呈现为正六棱柱形，发射区包括三个皆为正三角形的子发射区，三个子发射区在阱基区的中心线上相交并在阱基区内以该中心线为中心排列成等距圆形阵列，每个子发射区自阱基区的上表面朝向其下表面延伸。该IGBT芯片可以在保持其六边形元胞的电流密度相对较大、导通压降相对较小的情况下，提高其元胞的抗闩锁能力和抗短路能力。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 芯片 及其 制造 方法 使用 掩膜版 | ||
【主权项】：
暂无信息
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