[发明专利]一种提高单层二维半导体发光亮度的方法有效
| 申请号： | 202010056849.6 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111262133B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 吴汉春;吕燕会 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/327 | 分类号： | H01S5/327;H01S5/04;H01S5/347 |
| 代理公司： | 北京正阳理工知识产权代理事务所(普通合伙) 11639 | 代理人： | 邬晓楠 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高单层二维半导体发光亮度的方法，属于量子光学和光子量子信息技术领域。本发明集成单层二维半导体与表面具有凸起结构的三维半导体形成复合异质结构，产生了一个大大增强的耦合系统，大大提高了单层二维半导体的发光亮度。简单而高效的硅基复合异质结构是完全可扩展的，有望作为具有高亮度、长期稳定性、芯片可集成性的量子光源，属于量子光学和光子量子信息技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 单层 二维 半导体 发光 亮度 方法 | ||
【主权项】：
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