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[发明专利]光动力诊断装置、光动力诊断方法及设备-CN201310300961.X无效
发明人：大木智之;箱守志穗;玉村好司;宫岛孝夫 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-07-17 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： A61B5/00 文献下载
摘要：本发明提供了光动力诊断装置、光动力诊断方法及设备，其中该光动力诊断装置包括：光源，用于生成时间宽度比光敏剂荧光寿命更短的光脉冲；和检测器，用于测量相对于光脉冲的荧光的时间变化波形。
动力诊断装置方法设备

[发明专利]牙科装置、医疗装置及计算方法-CN201310199308.9无效
发明人：箱守志穗;玉村好司 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： A61C19/00 文献下载
摘要：本发明提供牙科装置、医疗装置及计算方法。其中，该牙科装置，包括：光源，用于发射光以照射口腔中的牙齿、牙龈、牙斑和牙结石中的至少一个；光检测器，用于检测从被来自所述光源的所述光照射的口腔发出的荧光；以及控制单元，用于基于由所述光检测器检测到的荧光来输出用于使荧光强度的随时间的变化可视化的第一数据。此外，本发明提供的计算方法包括：照射激发光；检测荧光强度；以及计算深度方向上荧光强度的随时间的变化。
牙科装置医疗计算方法

[发明专利]牙用装置、图像获取方法及信息处理装置-CN201310198972.1无效
发明人：箱守志穗;玉村好司 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： A61B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及牙用装置、图像获取方法及信息处理装置，其中，牙用装置包括：光照射单元，用于发出光以照射口腔；图像捕获单元，用于图像捕获由光照射单元的光所照射的口腔；以及输出单元，基于图像捕获单元的图像捕获结果，用于输出在口腔图像上强调显示牙斑部位以及牙结石部位中至少之一的数据。
装置图像获取方法信息处理

[发明专利]计算装置和计算方法-CN201180012977.X无效
发明人： 玉村好司;箱守志穗;山口恭司;荒井恒宪;伊藤亚莉沙 -专利权人：索尼公司;学校法人庆应义塾
申请日： 2011-03-07 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： A61N5/06 文献下载
摘要：公开了能够实时计算组织内的药物浓度的计算装置和计算方法。具体公开了光力学治疗设备（1），其用作计算装置。在该设备中，向吸收了能够吸收激发光并且发出荧光的光敏药物的组织照射从激光导管（300）的前端部发出的激发光。设备包括连接器（210）、光源（110）以及光检测单元（130）。激光导管（300）能够从连接器（210）移除或者从该连接器拆卸下来。光源（110）可通过连接器（210）将激发光输出至激光导管（300）。光检测单元（130）可检测通过连接器（210）从激光导管（300）入射的荧光的强度，以计算与激光导管（300）接触的前端部的组织内的光敏药物的浓度。
计算装置计算方法

[发明专利]评价装置和评价方法-CN201180013008.6有效
发明人：山口恭司;箱守志穗;玉村好司;荒井恒宪;伊藤亚莉沙;内山淳 -专利权人：索尼公司;学校法人庆应义塾
申请日： 2011-03-07 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： A61N5/06 文献下载
摘要：公开了能够实现对使用激光导管的治疗的进行执行安全评价的评价装置和评价方法。具体公开了用作评价装置的光力学治疗设备1。在该设备中，向吸收了能够吸收激发光并且发出荧光的光敏药物的组织照射从激光导管（300）的前端部发出的激发光。设备包括连接器（210）、光源（110）以及光检测单元（130）。激光导管（300）能够从连接器（210）移除或者从该连接器拆卸下来。光源（110）可通过连接器（210）将激发光输出至激光导管（300）。光检测单元（130）可检测通过连接器（210）从激光导管（300）入射的荧光的强度，以评价由从激光导管（300）的前端部发出的激发光与被组织吸收的光敏药物之间的反应引起的组织的变化。
评价装置方法

[发明专利]确定装置和确定方法-CN201180013018.X无效
发明人：箱守志穗;山口恭司;玉村好司;荒井恒宪;伊藤亚莉沙 -专利权人：索尼公司;学校法人庆应义塾
申请日： 2011-03-07 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： A61N5/06 文献下载
摘要：提供能够实时安全地确定导管的前端部相对于组织的接触状态的确定装置。光力学治疗设备（1）用作确定装置，并且向吸收了吸收激发光并且发出荧光的光敏药物的组织或吸收激发光并且发出荧光的组织照射从激光导管（300）的前端部发出的激发光。光力学治疗设备（1）包括连接器（210）、光源（110）以及光检测单元（130）。激光导管（300）能够连接至连接器（210）或者从该连接器拆卸下来。光源（110）通过连接器（210）将激发光输出至激光导管（300）。光检测单元（130）检测通过连接器（210）从激光导管（300）入射的荧光的强度或光谱，以确定激光导管（300）的前端部是否与组织接触。
确定装置方法

[发明专利]荧光寿命测量设备、荧光寿命测量方法和程序-CN201080004129.X无效
发明人：中尾勇;玉村好司 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-01-07 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：提供了用于以简单配置获取荧光寿命的荧光寿命测量设备、荧光寿命测量方法以及程序。移动在其上放置了要测量的荧光材料的平台，将激励光施加到以恒定速度移动的在平台上放置的荧光材料，捕获通过施加激励光发射的荧光的余光的图像；以及使用捕获的图像测量从在作为对象的余光位置中的荧光位置开始的经历时间以及其中余光的强度，并且计算荧光寿命。
荧光寿命测量设备测量方法程序

[发明专利]半导体器件-CN200910163685.0无效
发明人：岸野克巳;野村一郎;玉村好司;田才邦彦;朝妻庸纪;中岛博;中村均;藤崎寿美子;纪川健 -专利权人：株式会社日立制作所;学校法人上智学院;索尼株式会社
申请日： 2009-08-10 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01S5/327 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括半导体层，该半导体层在InP基板上依次包括n型第一熔覆层、n型第二熔覆层、活性层、p型第一熔覆层和p型第二熔覆层。所述n型第一熔覆层和所述n型第二熔覆层满足下面的公式(1)～公式(4)，或者所述p型第一熔覆层和所述p型第二熔覆层满足下面的公式(5)～公式(8)：1×10¹⁷cm^-3≤N1≤1×10²⁰cm^-3 …(1)N1＞N2 …(2)D1＞D2 …(3)Ec1＜Ec3＜Ec2 …(4)1×10¹⁷cm^-3≤N4≤10²⁰cm^-3 …(5)N3＜N4 …(6)D3＜D4 …(7)Ev1＜Ev3＜Ev2 …(8)在本发明的半导体器件中，通过将n型熔覆层或者p型熔覆层分成两层，因而能够将载流子传导、载流子限制、对Type II发光的抑制和光限制的全部特性设为适于所述n型熔覆层和所述p型熔覆层的值。
半导体器件

[发明专利]氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法-CN200610160545.4无效
发明人：中山雅博;松本直树;玉村好司;池田昌夫 -专利权人：住友电气工业株式会社;索尼公司
申请日： 2003-09-04 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：一种氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法，粗研磨中，提升上固定盘，在无负载的状态下研磨GaN衬底，使翘曲为R≥50m。在精密研磨中，通过过氧二硫酸钾、氢氧化钾和紫外线，对GaN进行化学研磨。与基于游离磨粒的机械研磨进行组合，实现了GaN的化学机械研磨(CMP)。能使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤0.5nm。背面也用CMP进行精密研磨，使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤2nm。也可以使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤5nm，背面为0.1nm≤RMS≤5000nm。
氮化物半导体衬底加工方法

[发明专利]半导体光发射装置以及一种装置-CN200610159296.7有效
发明人：朝妻庸纪;冨谷茂隆;玉村好司;东条刚;后藤修;元木健作 -专利权人：住友电气工业株式会社;索尼株式会社
申请日： 2002-10-03 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III－V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III－V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III－V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
半导体发射装置以及一种

[发明专利]半导体光发射装置以及一种装置-CN200610159295.2有效
发明人：朝妻庸纪;冨谷茂隆;玉村好司;东条刚;后藤修;元木健作 -专利权人：住友电气工业株式会社;索尼株式会社
申请日： 2002-10-03 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III－V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III－V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III－V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
半导体发射装置以及一种

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610159297.1有效
发明人：朝妻庸纪;冨谷茂隆;玉村好司;东条刚;后藤修;元木健作 -专利权人：住友电气工业株式会社;索尼株式会社
申请日： 2002-10-03 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III－V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III－V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III－V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有InP衬底的光半导体装置-CN200610108927.2无效
发明人：岸野克巳;野村一郎;玉村好司;中村均 -专利权人：株式会社日立制作所;学校法人上智学院;索尼株式会社
申请日： 2006-07-28 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明针对通常情况下成为p型传导但载流子浓度仅得到小于1×10¹⁷cm^－3的值这样的材料，提供得到大于等于1×10¹⁷cm^－3的高p型载流子浓度的结构，进而，提供发光特性等特性良好、可靠性也高、长寿命的半导体光学元件和装置。作为解决方法，在InP衬底上作为在与InP衬底晶格匹配的主层Mg_0.5Zn_0.29Cd_0.21Se层(10ML(原子层)厚度)之间插入ZnSe_0.53Te_0.47层(2ML)作为插入的特定层，通过以适度间隔插入单层的、大于等于10¹⁸cm^－3的充分的载流子浓度这样的特定层，在以往仅得到小于1×10¹⁷cm^－3这样的材料中全体结晶得到大于等于1×10¹⁷cm^－3的充分的空穴浓度。
具有 inp 衬底半导体装置

[发明专利]半导体光发射装置的制造方法、半导体光发射装置、半导体装置的制造方法、半导体装置、一种装置的制造方法、以及一种装置-CN02822141.9有效
发明人：朝妻庸纪;冨谷茂隆;玉村好司;东条刚;后藤修;元木健作 -专利权人：住友电气工业株式会社;索尼株式会社
申请日： 2002-10-03 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III－V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III－V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III－V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
半导体发射装置制造方法一种以及

[发明专利]氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法-CN03158057.2有效
发明人：中山雅博;松本直树;玉村好司;池田昌夫 -专利权人：住友电气工业株式会社;索尼公司
申请日： 2003-09-04 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法，粗研磨中，提升上固定盘，在无负载的状态下研磨GaN衬底，使翘曲为R≥50m。在精密研磨中，通过过氧二硫酸钾、氢氧化钾和紫外线，对GaN进行化学研磨。与基于游离磨粒的机械研磨进行组合，实现了GaN的化学机械研磨(CMP)。能使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤0.5nm。背面也用CMP进行精密研磨，使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤2nm。也可以使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤5nm，背面为0.1nm≤RMS≤5000nm。
氮化物半导体衬底加工方法

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