[发明专利]半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202010054213.8 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111244030B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 曾臻;张文杰 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538;H10B41/27;H10B41/35;H10B43/27;H10B43/35 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制备方法，包括如下步骤：形成材料层，材料层包括依次连接的第一区域、第二区域及第三区域；于材料层内一个或多个第一接触孔、一个或多个第二接触孔及一个或多个第三接触孔；第一接触孔位于第一区域内，第二接触孔位于第二区域内，第三接触孔位于第三区域内；第二接触孔的深度大于第一接触孔的深度且小于第三接触孔的深度，第二接触孔的孔径大于第一接触孔的孔径及第三接触孔的孔径。本发明使得第一接触孔、第二接触孔及第三接触孔可以采用同一张光罩及同一刻蚀工艺形成，从而简化工艺步骤，提高了产率，并节约了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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