[发明专利]一种牺牲层辅助的纳米图形转印方法有效
| 申请号： | 202010053496.4 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111240150B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 刘军山;胡小光;庞博;张之昊;杨馥瑞;张思琪 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 李晓亮;潘迅 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开一种牺牲层辅助的纳米图形转印方法，属于微机电系统(MEMS)和微纳米加工技术领域。首先，在施主基片表面沉积一层牺牲层，牺牲层表面制作出需要转印的纳米图形。其次，将图章贴合在施主基片表面，然后再从施主基片表面剥离，使得纳米图形和牺牲层一起被转移到图章表面，再采用湿法腐蚀工艺，去除图章表面的牺牲层。最后，将图章贴合在受主基片表面后，再将图章从受主基片表面剥离，使得纳米图形转印到受主基片表面。本发明提供的纳米图形转印方法不需要对图章表面进行任何加工，也不需要对受主基片表面进行任何化学处理，而且对于转印图形的材料没有限制，工艺简单、通用性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 牺牲 辅助 纳米 图形 方法 | ||
【主权项】：
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