[发明专利]一种牺牲层辅助的纳米图形转印方法有效
| 申请号： | 202010053496.4 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111240150B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 刘军山;胡小光;庞博;张之昊;杨馥瑞;张思琪 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 李晓亮;潘迅 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 牺牲 辅助 纳米 图形 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种牺牲层辅助的纳米图形转印方法，其特征在于，步骤如下：
(1)在施主基片表面沉积一层牺牲层；当施主基片材料为聚甲基丙烯酸甲酯或者硅时，选择铜薄膜或者金薄膜作为牺牲层；
(2)在牺牲层表面制作出需要转印的纳米图形；
(3)将图章贴合在施主基片表面，然后再从施主基片表面剥离，使得纳米图形和牺牲层一起被转移到图章表面；所述的图章材料为聚二甲基硅氧烷；
(4)利用湿法腐蚀工艺，去除图章表面的牺牲层；
(5)将图章贴合在受主基片表面；
(6)将图章从受主基片表面缓慢剥离，使得纳米图形转印到受主基片表面。
2.根据权利要求1所述的一种牺牲层辅助的纳米图形转印方法，其特征在于，步骤(2)中，所述纳米图形的制作采用光刻技术或者电喷印技术。
3.根据权利要求1所述的一种牺牲层辅助的纳米图形转印方法，其特征在于，步骤(3)中，图章和施主基片之间的贴合压强应大于等于6kPa，图章从施主基片表面剥离的速度应大于等于5mm/s。
4.根据权利要求1所述的一种牺牲层辅助的纳米图形转印方法，其特征在于，步骤(5)中，所述图章和受主基片之间的贴合压强应大于等于6kPa。
5.根据权利要求1所述的一种牺牲层辅助的纳米图形转印方法，其特征在于，步骤(6)中，所述图章从受主基片表面剥离的速度应小于等于5mm/s。
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