[发明专利]半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010046681.0 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN113130382B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括：提供第一介质层；于第一介质层内形成窗口；于窗口的内表面和第一介质层的上表面形成第二介质层；去除边角处的第二介质层；于窗口的内表面及保留的第二介质层表面形成第一阻挡层；于窗口内形成导电结构。上述半导体器件的制备方法中去除边角处的第二介质层，使得形成的第一阻挡层厚度均匀，不容易出现缺陷，能够更好的避免导电结构的材料扩散到第一介质层中，于窗口的内表面和第一介质层的上表面形成第二介质层，能更好的避免导电结构出现漏电，提高器件的质量，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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