[发明专利]半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010046681.0 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN113130382B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供第一介质层；
于所述第一介质层内形成通孔，并于所述第一介质层内形成凹槽，所述凹槽位于所述通孔的上方且与所述通孔连通，以于所述第一介质层内形成窗口；
于所述窗口的内表面和所述第一介质层的上表面形成第二介质层；
去除边角处的所述第二介质层，并至少去除所述第一介质层上表面和所述凹槽底部的部分所述第二介质层；去除部分所述凹槽底部的所述第一介质层，使所述凹槽底部的所述第一介质层低于所述通孔侧壁的所述第二介质层，以使得所述第二介质层与所述凹槽侧壁之间具有凹部；
于所述窗口的内表面及保留的所述第二介质层表面形成第一阻挡层；
于所述窗口内形成导电结构。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，去除边角处的所述第二介质层，形成削角。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述削角的角度介于110度~160度之间。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述凹部的深度介于50nm~3μm之间。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括：于所述导电结构的上表面形成第二阻挡层。
6.一种半导体器件，其特征在于，包括：
第一介质层，所述第一介质层内具有窗口；所述窗口包括通孔和凹槽，所述凹槽位于所述通孔的上方且与所述通孔连通；
第二介质层，位于所述窗口处边角处之外的内表面和所述第一介质层的上表面；所述第二介质层位于所述凹槽侧壁和所述通孔侧壁，所述凹槽底部的所述第一介质层低于所述通孔侧壁的所述第二介质层，以使得所述第二介质层与所述凹槽侧壁之间具有凹部；
第一阻挡层，位于所述窗口的内表面及所述第二介质层的表面；
导电结构，位于所述窗口内。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述凹部的深度介于50nm~3μm之间。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，还包括：第二阻挡层，位于所述导电结构的上表面。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第二阻挡层的材质包括氮化钛、氮化钽、氮化钨、碳氧化硅、碳氮硅、碳氮氧化硅中的至少一种。
10.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第二介质层包括削角，所述削角位于所述边角处，所述削角的角度介于110度~160度之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
