[发明专利]一种全忆阻器神经网络及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010045509.3 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111275177B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 杨玉超;段庆熙;荆兆坤;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G06N3/06 | 分类号： | G06N3/06;G06N3/063;G06N3/08;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全忆阻器神经网络及其制备方法和应用。所述的全忆阻器神经网络通过底电极、第一功能层和中间电极形成忆阻突触器件，之后再覆盖第二功能层，在第二功能层上覆盖顶电极形成忆阻神经元器件，从而构建成全忆阻器神经网络。通过改变突触器件的权重，全忆阻器神经网络可以实现模式识别和监督学习等功能。所发明的全忆阻器神经网络具有高的集成度和可微缩性，并且与传统硅基CMOS工艺兼容，适合大规模生产，对于未来最终实现大规模类脑计算硬件具有重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 全忆阻器 神经网络 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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