[发明专利]一种阵列基板及阵列基板的电学特性的测量方法在审
申请号: | 202010018089.X | 申请日: | 2020-01-08 |
公开(公告)号: | CN111190312A | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | 林碧芬 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 刁文魁 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请提供一种阵列基板及阵列基板的电学特性测量的方法,本申请的阵列基板在对应显示区设置有多个子像素单元以及多条信号线,在对应非显示区包括信号驱动器,每个子像素单元均包括薄膜晶体管;在信号驱动器靠近显示区的一侧设有测试区,测试区内设有测试金属块;绝缘层设于薄膜晶体管和测试金属块上,绝缘层上设置有过孔;电极层设于绝缘层上,其包括与薄膜晶体管电连接的像素电极以及与测试金属块电连接的测试电极;其中,多条信号线分别通过测试金属块与信号驱动器电连接。本申请通过设置测试金属块以及测试电极从而能够对阵列基板不同位置的单个子像素单元的电性情况进行测量。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 电学 特性 测量方法 | ||
【主权项】:
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