[发明专利]一种阵列基板及阵列基板的电学特性的测量方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板在对应显示区设置有多个子像素单元，每个子像素单元均包括薄膜晶体管；

所述阵列基板在对应所述显示区还包括与所述薄膜晶体管连接的多条信号线，所述阵列基板在对应非显示区包括信号驱动器；

在所述信号驱动器靠近所述显示区的一侧设有测试区，所述测试区内设有测试金属块；

绝缘层，设置于所述薄膜晶体管和所述测试金属块上，所述绝缘层上设置有过孔；

电极层，设置于所述绝缘层上，包括与所述薄膜晶体管电连接的像素电极以及与所述测试金属块电连接的测试电极；

其中，多条所述信号线分别通过所述测试金属块与所述信号驱动器电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述信号线包括多条数据线和多条栅极线，所述信号驱动器包括栅极驱动器和源极驱动器，所述测试金属块包括第一测试金属块和第二测试金属块，所述栅极线通过所述第一测试金属块与所述栅极驱动器电连接，所述数据线通过所述第二测试金属块与所述源极驱动器电连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一测试金属块与所述栅极线由同一导电层通过一次构图工艺同时形成，所述第二测试金属块与所述数据线由同一导电层通过一次构图工艺同时形成；或者，所述第一测试金属块与所述第二测试金属块均由同一导电层通过一次构图工艺同时形成。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述测试电极通过所述绝缘层上的第一过孔与所述测试金属块电连接，所述像素电极通过所述绝缘层上的第二过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接，所述测试电极包括对应所述第一测试金属块的第一测试电极以及对应所述第二测试金属块的第二测试电极。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述信号线还包括电源线和感测线，所述测试金属块还包括第三测试金属块和第四测试金属块，所述电源线通过所述第三测试金属块与所述源极驱动器电连接，所述感测线通过所述第四测试金属块与所述源极驱动器电连接。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述测试电极还包括通过所述绝缘层上的第三过孔与所述第三测试金属块电连接的第三测试电极，以及通过所述绝缘层上的第四过孔与所述第四测试金属块电连接的第四测试电极。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，一所述子像素单元包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第一电容、第二电容以及发光二极管；

所述第一薄膜晶体管的栅极与所述栅极线电连接，源极与所述数据线电连接，漏极分别与所述第二薄膜晶体管的栅极以及所述第一电容的第一电极板电连接；

所述第二薄膜晶体管的源极与所述电源线电连接，漏极分别与所述第一电容的第二电极板以及所述第二电容的第一电极板电连接；

所述第三薄膜晶体管的栅极与所述栅极线电连接，源极与所述感测线电连接，漏极与所述发光二极管的阳极电连接；

所述第二电容的第二电极板以及所述发光二极管的阴极均接入地。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极与所述测试电极由同一导电层通过一次构图工艺同时形成。

9.一种对权利要求1-8任一项所述的阵列基板的电学特性测量的方法，所述阵列基板的测试电极通过绝缘层上的第一过孔与测试金属块电连接，所述像素电极通过绝缘层上的第二过孔与薄膜晶体管的漏极电连接，所述测试电极与所述像素电极均暴露于所述阵列基板的表面；所述方法包括：

将信号发送探针与所述阵列基板的所述测试电极接触；

将信号接收探针与所述阵列基板的所述像素电极接触；

对所述信号发送探针加载预设的电压，通过所述信号接收探针接收的信号获取所述薄膜晶体管的电学特性值。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述信号发送探针包括栅线探针和数据探针，所述信号接收探针包括像素探针，所述测试电极包括对应所述第一测试金属块的第一测试电极以及对应所述第二测试金属块的第二测试电极；所述方法包括：

将所述栅线探针与所述阵列基板的所述第一测试电极接触；

将所述数据探针与所述阵列基板的所述第二测试电极接触；

将所述像素探针与所述阵列基板的所述像素电极接触；

对所述栅线探针和所述数据探针加载预设的电压，通过所述像素探针接收的信号获取所述薄膜晶体管的电学特性值。