[发明专利]一种阵列基板及阵列基板的电学特性的测量方法

说明书

本申请提供一种阵列基板及阵列基板的电学特性测量的方法，本申请的阵列基板在对应显示区设置有多个子像素单元以及多条信号线，在对应非显示区包括信号驱动器，每个子像素单元均包括薄膜晶体管；在信号驱动器靠近显示区的一侧设有测试区，测试区内设有测试金属块；绝缘层设于薄膜晶体管和测试金属块上，绝缘层上设置有过孔；电极层设于绝缘层上，其包括与薄膜晶体管电连接的像素电极以及与测试金属块电连接的测试电极；其中，多条信号线分别通过测试金属块与信号驱动器电连接。本申请通过设置测试金属块以及测试电极从而能够对阵列基板不同位置的单个子像素单元的电性情况进行测量。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及阵列基板的电学特性的测量方法。

背景技术

TFT-LCD阵列基板是TFT-LCD的重要部件之一。TFT的电学特性直接影响TFT-LCD的显示品质，因此，在实际生产过程中，都需要对TFT的电学特性进行测量。

目前的大尺寸AMOLED面板大多采用3T1C甚至更多的TFT以进行电路补偿，存在一个问题是无法在TFT基板制作完成后量测单个子像素的电性，而由于大尺寸的缘故量测面板周围的电性不能真实反应面板其他区域的电性情况，不利于不良解析及快速进行后续的电性改善。

因此，现有技术存在缺陷，急需改进。

发明内容

本申请提供一种阵列基板及阵列基板的电学特性的测量方法，能够解决大尺寸面板无法在阵列基板制作完成后量测单个子像素的电性的问题。

为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：

本申请提供一种阵列基板，所述阵列基板在对应显示区设置有多个子像素单元，每个子像素单元均包括薄膜晶体管；

所述阵列基板在对应所述显示区还包括与所述薄膜晶体管连接的多条信号线，所述阵列基板在对应非显示区包括信号驱动器；

在所述信号驱动器靠近所述显示区的一侧设有测试区，所述测试区内设有测试金属块；

绝缘层，设置于所述薄膜晶体管和所述测试金属块上，所述绝缘层上设置有过孔；

电极层，设置于所述绝缘层上，包括与所述薄膜晶体管电连接的像素电极以及与所述测试金属块电连接的测试电极；

其中，多条所述信号线分别通过所述测试金属块与所述信号驱动器电连接。

在本申请的阵列基板中，所述信号线包括多条数据线和多条栅极线，所述信号驱动器包括栅极驱动器和源极驱动器，所述测试金属块包括第一测试金属块和第二测试金属块，所述栅极线通过所述第一测试金属块与所述栅极驱动器电连接，所述数据线通过所述第二测试金属块与所述源极驱动器电连接。

在本申请的阵列基板中，所述第一测试金属块与所述栅极线由同一导电层通过一次构图工艺同时形成，所述第二测试金属块与所述数据线由同一导电层通过一次构图工艺同时形成；或者，所述第一测试金属块与所述第二测试金属块均由同一导电层通过一次构图工艺同时形成。

在本申请的阵列基板中，所述测试电极通过所述绝缘层上的第一过孔与所述测试金属块电连接，所述像素电极通过所述绝缘层上的第二过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接，所述测试电极包括对应所述第一测试金属块的第一测试电极以及对应所述第二测试金属块的第二测试电极。

在本申请的阵列基板中，所述信号线还包括电源线和感测线，所述测试金属块还包括第三测试金属块和第四测试金属块，所述电源线通过所述第三测试金属块与所述源极驱动器电连接，所述感测线通过所述第四测试金属块与所述源极驱动器电连接。

在本申请的阵列基板中，所述测试电极还包括通过所述绝缘层上的第三过孔与所述第三测试金属块电连接的第三测试电极，以及通过所述绝缘层上的第四过孔与所述第四测试金属块电连接的第四测试电极。