[发明专利]半导体装置、其形成方法及集成芯片在审
| 申请号： | 202010017314.8 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN112349779A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 林大为 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的各种实施例涉及一种半导体装置。半导体装置包含半导体衬底。栅极介电质设置在半导体衬底上方。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区设置在半导体衬底中及栅极介电质的相对侧上。栅极电极设置在栅极介电质上方。第一防凹陷结构嵌入栅极电极中，其中第一防凹陷结构的周界设置在栅极电极的周界内。另提供一种半导体装置的形成方法和包括半导体装置的集成芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 集成 芯片 | ||
【主权项】：
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