[发明专利]半导体装置以及其形成方法在审
| 申请号： | 202010016761.1 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN113097075A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 罗熙凯;赖明宏 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 赵平;周永君 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置以及其形成方法，该形成方法包含以下步骤：提供半导体衬底；形成焊垫层于半导体衬底上；形成第一钝化层于焊垫层上；形成第二钝化层于第一钝化层上，其中第二钝化层包含多晶硅；形成氧化层于第二钝化层上；形成氮化层于氧化层上；移除氧化层的一部分以及氮化层的一部分，以暴露出第二钝化层的一部分；移除经暴露的该第二钝化层的一部分，以暴露出第一钝化层的一部分；以及移除经暴露的第一钝化层的一部分，以暴露出焊垫层的一部分。本发明能够有效改善作为顶部金属层的焊垫层的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
