[发明专利]半导体装置以及其形成方法

说明书

本发明提供一种半导体装置以及其形成方法，该形成方法包含以下步骤：提供半导体衬底；形成焊垫层于半导体衬底上；形成第一钝化层于焊垫层上；形成第二钝化层于第一钝化层上，其中第二钝化层包含多晶硅；形成氧化层于第二钝化层上；形成氮化层于氧化层上；移除氧化层的一部分以及氮化层的一部分，以暴露出第二钝化层的一部分；移除经暴露的该第二钝化层的一部分，以暴露出第一钝化层的一部分；以及移除经暴露的第一钝化层的一部分，以暴露出焊垫层的一部分。本发明能够有效改善作为顶部金属层的焊垫层的良品率。

技术领域

本发明是有关于一种半导体装置以及其形成方法，且特别是有关于半导体装置的焊垫层以及其形成方法。

背景技术

半导体集成电路产业经历快速成长，集成电路设计与材料的科技发展生产了数世代的集成电路，其中每个世代具备比上个世代更小及更复杂的电路。集成电路广泛地应用于消费性电子产品中，例如，个人电脑、智慧型手机或平板电脑等。

一般而言，半导体集成电路装置具有与外部电子元件电连接的焊垫结构，由于焊垫结构在封装工艺完成之前通常会暴露于环境之中一段时间，若工艺中有化学物质残留于焊垫结构上，化学物质与环境中的空气或水气反应，将更容易导致焊垫结构的氧化或腐蚀，进而降低最终产品的良品率。

虽然现存的焊垫结构的形成方法可大致满足它们原先预定的用途，但其仍未在各个方面皆彻底地符合需求。因此，发展出能够进一步改善焊垫结构的良品率的工艺，仍为目前业界致力研究的课题之一。

发明内容

根据本发明一些实施例，提供一种半导体装置的形成方法，包含以下步骤：提供半导体衬底(substrate)；形成焊垫层于半导体衬底上；形成第一钝化层于焊垫层上；形成第二钝化层于第一钝化层上，其中第二钝化层包含多晶硅；形成氧化层于第二钝化层上；形成氮化层于氧化层上；移除氧化层的一部分以及氮化层的一部分，以暴露出第二钝化层的一部分；移除经暴露的该第二钝化层的一部分，以暴露出第一钝化层的一部分；以及移除经暴露的第一钝化层的一部分，以暴露出焊垫层的一部分。

根据本发明一些实施例，提供一种半导体装置，包含：半导体衬底、焊垫层、第一钝化层、第二钝化层、氧化层以及氮化层。焊垫层位于半导体衬底上，第一钝化层位于焊垫层上，第二钝化层位于第一钝化层上，其中第二钝化层包含多晶硅，氧化层位于第二钝化层上，且氮化层位于氧化层上。此外，半导体装置还包含开口，其贯穿第一钝化层、第二钝化层、氧化层以及氮化层，且暴露出焊垫层的顶表面。

为让本发明的特征、或优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1G显示根据本发明一些实施例中，半导体装置于其形成方法中各阶段的结构剖面示意图。

符号说明

10 半导体装置；

102 半导体衬底；

104 焊垫层；

104t 顶表面；

106 第一钝化层；

106t 顶表面；

108 第二钝化层；

108t 顶表面；

110 氧化层；

110s 侧壁；

112 氮化层；

112s 侧壁；

202 开口；

C₁ 清洁工艺；

E₁ 第一刻蚀工艺；