[发明专利]一种碱辅助化学气相沉积生长大面积单层二硫化钨的制备方法

摘要

本发明公开一种碱辅助化学气相沉积生长大面积单层二硫化钨的制备方法，属于纳米材料领域。本方法采用在化学气相沉积法生长过程中，通过碱作为促进剂，辅助生长单层二硫化钨。其中氧化钨源与碱的质量比为8:1‑2:1。本发明利用碱辅助生长二硫化钨，可以有效地降低生长温度，在常压下，实现快速生长和制备大面积单层二硫化钨样品，且制备的二硫化钨具有高的光致发光强度。该实验方法工艺简单，重复性好，对环境友好，且原料成本低，适合大规模生产。