[发明专利]三维存储器、三维存储器的制备方法及电子设备

摘要

本申请公开了一种三维存储器、三维存储器的制备方法及电子设备。三维存储器包括依次层叠设置的衬底形成在衬底上的第一堆叠层；形成在第一堆叠层上的存储堆叠层，形成在存储堆叠层中的存储结构，存储结构至少部分地贯通存储堆叠层；在存储结构朝向衬底的一侧形成有第一通孔或第二通孔，第一通孔和第二通孔穿透至少部分第一堆叠层和部分衬底，第一通孔位于核心区，第二通孔位于台阶区；形成在第一通孔和第二通孔内的外延部，第一通孔内形成的外延部为半导体结构，第二通孔内形成的外延部为绝缘体结构。本申请提供的三维存储器的台阶区(SS)未设SEG，仅填充绝缘体，台阶区的SEG对功能层的影响，从而提高三维存储器的可靠性。