[发明专利]三维存储器、三维存储器的制备方法及电子设备

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

衬底；

形成在所述衬底上的第一堆叠层；

形成在所述第一堆叠层上的存储堆叠层，所述三维存储器包括核心区和台阶区，所述台阶区设置于核心区的周边；

形成在所述存储堆叠层中的存储结构，所述存储结构至少部分地贯通所述存储堆叠层；

在所述存储结构朝向所述衬底的一侧形成有第一通孔或第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔穿透至少部分所述第一堆叠层和部分所述衬底，所述第一通孔位于所述核心区，所述第二通孔位于所述台阶区；

形成在所述第一通孔和所述第二通孔内的外延部，所述外延部至少部分插入所述衬底；其中，所述第一通孔内形成的外延部为半导体结构，所述第二通孔内形成的外延部为绝缘体结构；

所述三维存储器还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层位于所述绝缘体结构的侧壁和底壁。

2.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第一堆叠层包括：第一绝缘层和/或导电层和/或第二绝缘层。

3.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括第四绝缘层，所述第四绝缘层位于所述半导体结构的侧壁，且所述半导体结构朝向所述衬底的一侧接触所述衬底。

4.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，

所述三维存储器还包括功能层，所述功能层轴向设置，且所述功能层朝向所述衬底的一侧接触所述外延部。

5.如权利要求1至4中任一项所述的三维存储器，其特征在于，所述第二通孔的孔径大于所述第一通孔的孔径。

6.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-5中任意一项所述三维存储器。

7.一种三维存储器的制备方法，所述三维存储器包括核心区及位于所述核心区周边的台阶区，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成绝缘层与导电层交替设置的堆叠结构层；

刻蚀所述堆叠结构层，以形成贯穿所述堆叠结构层的第一通孔及第二通孔；所述第一通孔位于所述核心区，所述第二通孔位于所述台阶区；

在所述第一通孔内形成半导体结构，所述第二通孔内形成绝缘体结构；

其中，在所述第一通孔内形成半导体结构，所述第二通孔内形成绝缘体结构包括：

在所述第一通孔及所述第二通孔内沉积绝缘材料，以在所述第一通孔内形成第四绝缘层，所述第二通孔内形成第三绝缘层；

刻蚀所述第四绝缘层的底部，以露出所述核心区的衬底。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在刻蚀所述第四绝缘层的底部，以露出所述核心区的衬底之后，所述制备方法还包括：

采用选择性外延生长工艺在所述第一通孔内形成半导体结构；

采用原子层沉积的方式沉积绝缘材料，以在所述第二通孔内形成绝缘体结构，及所述半导体结构上形成绝缘体结构。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成绝缘层与导电层交替设置的堆叠结构层包括：

在所述衬底上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成导电层；

在所述导电层上形成第二绝缘层。

10.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述第一通孔内形成半导体结构，所述第二通孔内形成绝缘体结构之后，所述制备方法还包括：

在所述绝缘体结构上形成第二堆叠层，所述第二堆叠层包括交替堆叠的多个牺牲层及多个介质层。