[发明专利]三维存储器、三维存储器的制备方法及电子设备

说明书

本申请公开了一种三维存储器、三维存储器的制备方法及电子设备。三维存储器包括依次层叠设置的衬底形成在衬底上的第一堆叠层；形成在第一堆叠层上的存储堆叠层，形成在存储堆叠层中的存储结构，存储结构至少部分地贯通存储堆叠层；在存储结构朝向衬底的一侧形成有第一通孔或第二通孔，第一通孔和第二通孔穿透至少部分第一堆叠层和部分衬底，第一通孔位于核心区，第二通孔位于台阶区；形成在第一通孔和第二通孔内的外延部，第一通孔内形成的外延部为半导体结构，第二通孔内形成的外延部为绝缘体结构。本申请提供的三维存储器的台阶区(SS)未设SEG，仅填充绝缘体，台阶区的SEG对功能层的影响，从而提高三维存储器的可靠性。

技术领域

本申请涉及摄像技术领域，尤其涉及一种三维存储器、三维存储器的制备方法及电子设备。

背景技术

三维(3Dimension,3D)存储器作为一种典型的垂直沟道式三维存储器，通常包括衬底以及位于衬底上的堆叠结构。三维存储器的工艺制备过程中，需要先在堆叠结构内形成贯穿堆叠结构的多个通孔，然后在通孔内形成选择性外延生长(selective epitaxygrowth，SEG)。

随着堆叠层数的增加，通孔的深宽比也会随之增加，导致外延生长难以控制。出现变形或者高度不一致的问题。此外，堆叠结构包括核心区及位于核心区外围的台阶区。由于台阶区与核心区的层结构不同，而台阶去和核心区的通孔尺寸也不同，因此在台阶区形成SEG的过程中容易被吃穿，造成漏电的情况，从而影响三维存储器的良率。

发明内容

本申请提供了一种三维存储器，在三维存储器的台阶区(SS)填充绝缘体结构，避免在形成功能层的过程中SEG对功能层的影响，从而提高台阶区(SS)的功能层的可靠性。

第一方面，本申请提供了一种三维存储器。三维存储器的制备方法包括：

衬底；

形成在所述衬底上的第一堆叠层；

形成在所述第一堆叠层上的存储堆叠层，所述堆叠层包括核心区和台阶区，所述台阶区设置于核心区的周边；

形成在所述存储堆叠层中的存储结构，所述存储结构至少部分地贯通所述存储堆叠层；

在所述存储结构朝向所述衬底的一侧形成有第一通孔或第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔穿透至少部分所述第一堆叠层和部分所述衬底，所述第一通孔位于所述核心区，所述第二通孔位于所述台阶区；

形成在所述第一通孔和所述第二通孔内的外延部，所述外延部至少部分插入所述衬底；其中，所述第一通孔内形成的外延部为半导体结构，所述第二通孔内形成的外延部为绝缘体结构。

在一种实施方式中，所述第一堆叠层包括：第一绝缘层和/或导电层和/或第二绝缘层。

在一种实施方式中，所述三维存储器还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层位于所述绝缘体结构的侧壁和/或底壁。

在一种实施方式中，所述三维存储器还包括第四绝缘层，所述第四绝缘层位于所述半导体结构的侧壁，且所述半导体结构朝向所述衬底的一侧接触所述衬底。

在一种实施方式中，所述三维存储器还包括功能层，所述功能层轴向设置，且所述功能层朝向所述衬底的一侧接触所述外延部。

在一种实施方式中，所述第二通孔的孔径大于所述第一通孔的孔径。

第二方面，本申请提供一种电子设备。电子设备包括如上所述三维存储器。

第三方面，本申请还提供一种三维存储器的制备方法。所述三维存储器包括核心区及位于所述核心区周边的台阶区，三维存储器的制备方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成绝缘层与导电层交替设置的堆叠结构层；