[发明专利]一种具有两种导电模式的超结MOSFET有效
| 申请号： | 202010005381.8 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111180518B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;张兴强;夏云 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有两种导电模式的超结MOSFET。与传统超结MOSFET相比，本发明器件采用介质隔离层将器件沿超结的纵向分界线分为两部分，N型漂移区一侧为普通超结MOSFET的导电模式，为单极性导电，没有开启电压，但是在大电流下导通电阻高，而P型漂移区一侧为一个栅控肖克来二极管导电模式，为双极型导电，有0.7V的开启电压，但大电流下导通电阻低。因此与普通超结MOSFET相比较，导通电阻在大电流时下降。器件反向导通时，由于P型漂移区未参与导通，并且P型漂移区一侧的器件P+短路区未参与导电，因此降低了器件的反向恢复电荷。本发明的有益成果：大电流下导通电阻降低，反向恢复电荷减小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 导电 模式 mosfet | ||
【主权项】：
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