[发明专利]半导体膜在审
| 申请号： | 201980093713.8 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN113677834A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 渡边守道;福井宏史 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王轶;郑雪娜 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供结晶缺陷明显较少的α－Ga |
||
| 搜索关键词： | 半导体 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本碍子株式会社，未经日本碍子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980093713.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体膜
- 下一篇：用于产生气态活性成分或气态活性成分混合物的装置
