[发明专利]用于透明基板的背侧涂层在审
申请号: | 201980079525.X | 申请日: | 2019-10-25 |
公开(公告)号: | CN113166943A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 赛捷·托克·加勒特·多莎;罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森;卢多维克·戈代;朱明伟;拿玛·阿加曼;韦恩·麦克米兰;西达斯·克里希南 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/56 | 分类号: | C23C16/56;H01L21/67;H01L21/66;C23C14/54;C23C16/34 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文描述的实施方式涉及半导体处理。更具体地,本文描述的实施方式涉及透明基板的处理。膜沉积在透明基板的背侧上。确定膜的厚度,以使所述膜反射特定波长的光并且大体上防止基板弯曲。膜提供对特定波长的光的相长干涉。 | ||
搜索关键词: | 用于 透明 涂层 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的