[发明专利]深紫外透明的氮化铝晶体及其形成方法在审
| 申请号： | 201980054233.0 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN112567079A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | R·T·伯恩多考夫;J·R·格兰达基;陈贱峰;王时超;木村徹;T·米巴赫;山岡慶祐;L·J·邵瓦尔特 | 申请（专利权）人： | 晶化成半导体公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B33/02;C30B35/00;C30B23/00;C30B23/02;H01L33/16;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 | 代理人： | 常晓慧 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在各种实施例中，单晶氮化铝晶锭和基底在深紫外波长处具有低乌尔巴赫能量和/或吸收系数。单晶氮化铝可以用作制造诸如发光二极管和激光器等发光器件的平台。单晶氮化铝可以由具有受控水平的诸如碳的杂质的气相形成。单晶氮化铝可以通过准等温退火和受控的冷却进行热处理，以提高其紫外吸收系数和/或乌尔巴赫能量。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫 透明 氮化 晶体 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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