[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980040521.0 | 申请日： | 2019-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN112368845A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 藤冈知惠;吉田弘;松岛芳宏;水原秀树;浜崎正生;坂本光章 | 申请（专利权）人： | 新唐科技日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 安香子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置(1)具有：半导体层(40)，具有主面(40a及40b)；金属层(31)，具有主面(31a及31b)，主面(31a)与主面(40b)接触，比半导体层(40)厚，由第1金属材料构成；金属层(30)，具有主面(30a及30b)，主面(30a)与主面(31b)接触，比半导体层(40)厚，由杨氏模量比第1金属材料大的金属材料构成；以及晶体管(10及20)；晶体管(10)在半导体层(40)的主面(40a)侧具有源极电极(11)及栅极电极(19)；晶体管(20)在半导体层(40)的主面(40a)侧具有源极电极(21)及栅极电极(29)，将从源极电极(11)经由金属层(31)到源极电极(21)的双向路径作为主电流路径。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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