[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980037622.2 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN112292752A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;掛端哲弥;惠木勇司;神保安弘;樱田勇二郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/365 | 分类号： | H01L21/365;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L27/06;H01L27/088;H01L27/108;H01L27/1156;H01L29/786;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。通过如下工序在衬底上形成金属氧化物：对其内部设置有衬底的处理室引入第一前驱物的工序；第一前驱物的引入后引入第一氧化剂的工序；第一氧化剂的引入后引入第二前驱物的工序；以及第二前驱物的引入后引入第二氧化剂的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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