[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980037622.2 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN112292752A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;掛端哲弥;惠木勇司;神保安弘;樱田勇二郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/365 | 分类号： | H01L21/365;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L27/06;H01L27/088;H01L27/108;H01L27/1156;H01L29/786;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，通过如下工序在衬底上形成金属氧化物：
对其内部设置有所述衬底的处理室引入第一前驱物的工序；
所述第一前驱物的引入后引入第一氧化剂的工序；
所述第一氧化剂的引入后引入第二前驱物的工序；以及
所述第二前驱物的引入后引入第二氧化剂的工序。
2.一种半导体装置的制造方法，通过如下工序在衬底上形成金属氧化物：
对其内部设置有所述衬底的处理室引入第一前驱物的工序；
所述第一前驱物的引入后引入第一氧化剂的工序；
所述第一氧化剂的引入后引入第二前驱物的工序；
所述第二前驱物的引入后引入第二氧化剂的工序；
所述第二氧化物的引入后引入第三前驱物的工序；以及
所述第三前驱物的引入后引入第三氧化剂的工序。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，
其中所述第一前驱物包含铟。
4.根据权利要求1或3所述的半导体装置的制造方法，
其中所述第二前驱物包含锌和镓中的至少一方。
5.根据权利要求2或3所述的半导体装置的制造方法，
其中所述第二前驱物包含锌和镓中的一方。
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，
其中所述第三前驱物包含锌和镓中的另一方。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，
其中所述金属氧化物包含铟及锌。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，
其中所述金属氧化物包含铟、元素M(M为铝、镓、钇或锡)以及锌。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置的制造方法，
其中所述金属氧化物具有结晶结构。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置的制造方法，
其中所述第一氧化剂包含选自臭氧、氧、水中的至少一个，
并且所述第二氧化剂包含选自臭氧、氧、水中的至少一个。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置的制造方法，
其中所述第二氧化剂包含与第一氧化剂相同的材料。
12.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，
其中所述第三氧化剂包含选自臭氧、氧、水中的至少一个。
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