[发明专利]固态摄像元件及其制造方法在审
申请号: | 201980031496.X | 申请日: | 2019-04-19 |
公开(公告)号: | CN112119500A | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 定荣正大;村田贤一;古闲史彦;八木岩;平田晋太郎;富樫秀晃;齐藤阳介 | 申请(专利权)人: | 索尼公司;索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/8234;H01L23/522;H01L27/088;H01L27/30;H01L29/423;H01L29/43;H01L29/49;H01L29/786;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 房岭梅;姚鹏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种具有像素晶体管和配线的固态摄像元件及其制造方法,固态摄像元件在抑制制造成本增加的同时,能够从层叠的光电转换膜有效地输出并传输像素信号。提供了这样的固态摄像元件,其包括:半导体基板;第一光电转换单元,设置在半导体基板上;及控制单元,被设置成与第一光电转换单元层叠,且包括用于控制第一光电转换单元的多个像素晶体管,其中,第一光电转换单元包括:第二电极;第一光电转换膜,设置在第二电极的上方,并且将光转换为电荷;以及第一电极,设置在第一光电转换膜上,多个像素晶体管包括放大晶体管,放大晶体管对电荷进行放大并将电荷作为像素信号输出,并且放大晶体管的沟道形成区由氧化物半导体层形成。 | ||
搜索关键词: | 固态 摄像 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的