[发明专利]半导体装置制造方法在审
| 申请号： | 201980028570.2 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN112041972A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 三田亮太;市川智昭 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本半导体装置制造方法包括准备工序和烧结接合工序。准备工序中，准备具有层叠结构的烧结接合工件(X)，所述层叠结构包含：基板(S)、配置在其单面侧且要进行接合的多个半导体芯片(C)、以及分别夹设在各半导体芯片(C)与基板(S)之间的含有烧结性颗粒的多个烧结接合用材料层(11)。烧结接合工序中，通过在将厚度为5～5000μm且拉伸模量为2～150MPa的缓冲材料片(20)与烧结接合工件(X)重叠并夹持在一对加压面(Pa、Pa)之间的状态下，在该加压面(Pa、Pa)之间将烧结接合工件(X)沿着其层叠方向进行加压并历经加热过程，从而由各烧结接合用材料层(11)形成烧结层(12)。这种半导体装置制造方法适合在加压条件下将多个半导体芯片一并烧结接合于基板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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