[发明专利]半导体装置制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置制造方法，其包括：

准备具有层叠结构的烧结接合工件的工序，所述层叠结构包含：具有第一面和与其相反的第二面的基板、配置在所述第一面侧且要进行接合的多个半导体芯片、以及分别夹设在各半导体芯片与所述基板之间的含有烧结性颗粒的多个烧结接合用材料层；以及

烧结接合工序，其通过在将厚度为5～5000μm且拉伸模量为2～150MPa的缓冲材料片与所述烧结接合工件重叠并夹持在一对加压面之间的状态下，在该一对加压面之间将所述烧结接合工件沿着其层叠方向进行加压并历经加热过程，从而由所述烧结接合用材料层形成烧结层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置制造方法，其中，所述缓冲材料片在大气气氛下、基准重量温度为25℃且升温速度为10℃/分钟的条件下的失重测定中的350℃时的失重率为0.1％以下。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置制造方法，其中，所述烧结接合工序中的加热温度为200℃以上且加压压力为5MPa以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置制造方法，其中，所述烧结性颗粒包含选自由银颗粒、铜颗粒、银氧化物颗粒和铜氧化物颗粒组成的组中的至少一种。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置制造方法，其中，所述烧结接合用材料层中的所述烧结性颗粒的含有比例为60～99质量％。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置制造方法，其中，所述烧结层的厚度为5～200μm。