[发明专利]扩片方法、半导体装置的制造方法、以及粘合片在审
| 申请号： | 201980017581.0 | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111886673A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 稻男洋一;冈本直也;山田忠知 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 杨薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种扩片方法，该方法包括：贴合工序，将多个被粘附物贴合于粘合片(10)的第一粘合剂层(12)或第二粘合剂层(13)；扩片工序，使粘合片(10)伸展，以扩大所述多个被粘附物的间隔；以及能量射线照射工序，对第一粘合剂层(12)及第二粘合剂层(13)照射能量射线，以使第一粘合剂层(12)及第二粘合剂层(13)固化，所述粘合片(10)具有含有第一能量射线固化性树脂的第一粘合剂层(12)、含有第二能量射线固化性树脂的第二粘合剂层(13)、以及基材(11)。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 半导体 装置 制造 以及 粘合 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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